FQPF6N80C, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,2А, 51Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 360 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,2А, 51Вт, TO220FP Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 51 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 65 ns |
| Время спада | 44 ns |
| Высота | 16.07 mm |
| Длина | 10.36 mm |
| Другие названия товара № | FQPF6N80C_NL |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FQPF6N80C |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 51 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220F |
| Pin Count | 3 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2 |
