2SA1013-Y, Транзистор биполярный BJT 1мкА 160 В 900мВт 160 при 200 мА, 5 В 1 А 50 МГц PNP 1,5 В при 500 мА, 50 мА +150-@(Tj) TO-92LM
![2SA1013-Y, Транзистор биполярный BJT 1мкА 160 В 900мВт 160 при 200 мА, 5 В 1 А 50 МГц PNP 1,5 В при 500 мА, 50 мА +150-@(Tj) TO-92LM](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299929.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1965 шт., срок 8 недель
110 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
75 ֏
от 150 шт. —
57 ֏
от 1000 шт. —
48 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Maximum DC Collector Current | 1A |
Pd - Power Dissipation | 900mW |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 937 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 2 августа1 | бесплатно |
HayPost | 6 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары