2SC1623, 100nA 50V 200mW 300@1mA,6V 100mA 250MHz 300mV@100mA,10mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

110760 шт., срок 8 недель
14 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.9 ֏
от 600 шт.7 ֏
от 3000 шт.5 ֏
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 280 ֏
Номенклатурный номер: 8015851880
Бренд: HXY MOSFET

Описание

50V 200mW 200@1mA,6V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@100mA, 10mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 560@1mA, 6V
Operating Temperature -55℃~+150℃
Power Dissipation (Pd) 200mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 250MHz
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 3924 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг