MMBTA05, 100nA 60V 300mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz NPN 250mV@100mA,10mA +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

60580 шт., срок 8 недель
40 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.22 ֏
от 600 шт.18 ֏
от 3000 шт.16 ֏
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 800 ֏
Номенклатурный номер: 8015906687
Бренд: HXY MOSFET

Описание

60V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 500mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 250mV@100mA, 10mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA, 1V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 300mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 100MHz
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 328 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг