SKM100GAL12T4, Силовой модуль N-БТИЗ, 160 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Фото 1/2 SKM100GAL12T4, Силовой модуль N-БТИЗ, 160 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 шт., срок 8 недель
71 000 ֏
от 3 шт.63 300 ֏
от 8 шт.57 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 000 ֏
Номенклатурный номер: 8016053135

Описание

The Semikron Semitrans 2 package fast IGBT 4 module is belongs to the IGBT4 generation which can be a preferred choice for applications like hybrid or electric vehicles, Electronic welders at switching frequencies of up to 20 kHz, DC/DC converter, brake chopper and switched reluctance motor.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 160 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Mounting Type Panel Mount
Number of Transistors 1
Transistor Configuration Single
Вес, г 151.8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 468 КБ
SKM100GAL12T4
pdf, 468 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 17 июля1 бесплатно
HayPost 21 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг