SI7234DP-T1-GE3, Биполярный транзистор N-канал 12V 24.8A 8-Pin SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 980 ֏
от 25 шт. —
1 770 ֏
от 100 шт. —
1 660 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 980 ֏
Описание
транзисторы биполярные импортные
МОП-транзистор 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 46 W |
| Qg - заряд затвора | 37 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Другие названия товара № | SI7234DP-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 90 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SI7234DP-T1-GE3
pdf, 358 КБ
