2SK209-GR(TE85L,F), SOT-23-3L JFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78870 шт., срок 8 недель
219 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 095 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel junction type.
Технические параметры
Case | SC59 |
Drain current | 6.5mA |
Gate current | 10mA |
Gate-source voltage | -50V |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | TOSHIBA |
Mounting | SMD |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.15W |
Type of transistor | N-JFET |
Channel Type | N |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 14mA |
Maximum Gate Source Voltage | -50 V |
Package Type | S-MINI |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ
Datasheet 2SK209-GR(TE85L,F)
pdf, 282 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 26 июня1 | бесплатно |
HayPost | 30 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг