1SS226(TE85L,F), 80V +125°C@(Tj) 150mW Dual 900mV@100mA 1.6ns 500nA@80V 100mA S-MInI SwItchIng DIode

1SS226(TE85L,F), 80V +125°C@(Tj) 150mW Dual 900mV@100mA 1.6ns 500nA@80V 100mA S-MInI SwItchIng DIode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
28180 шт., срок 8 недель
62 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 620 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017603550
Бренд: Toshiba

Технические параметры

If - Forward Current 100mA
Peak Reverse Voltage 80V
Trr - Reverse Recovery Time 4ns
Vf - Forward Voltage 1.2V @ 100mA
Diode Configuration Series
Diode Technology Silicon Junction
Maximum Forward Voltage Drop 1.2V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-346(SC-59)
Pin Count 3
Width 1.5mm
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 219 КБ
Datasheet 1SS226(TE85L,F)
pdf, 203 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 2 августа1 бесплатно
HayPost 6 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг