RGT50NL65DGTL, Транзистор: IGBT

RGT50NL65DGTL, Транзистор: IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 шт., срок 8 недель
2 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 320 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8018072354
Бренд: Rohm

Описание

Field Stop Trench IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 48 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage: -30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: TO-263L-3
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: RGT50NL65D
Pd - Power Dissipation: 194 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 1.5

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг