RGT00TS65DGC13, IGBT Transistors TO247GE 650V TRNCH 50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
565 шт., срок 8-10 недель
9 100 ֏
от 10 шт. —
7 700 ֏
от 100 шт. —
6 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 100 ֏
Описание
The ROHM RGT series is field stop trench IGBT have built in very fast and soft recovery FRD system which are available in TO-247GE package and can be used in general inverter, UPS, power conditioner and welder applications.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 85 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 2.77 mW |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247GE |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT00TS65DGC13
pdf, 4694 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247]](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC004153676.jpg)
![SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC000192024.jpg)
