PUMH9,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1888 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
49 ֏
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 48 шт.
от 227 шт. —
35 ֏
от 454 шт. —
28 ֏
от 907 шт. —
25 ֏
Добавить в корзину 48 шт.
на сумму 2 112 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8018823395
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм
Технические параметры
| Корпус | 6-TSSOP | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 2.2 mm | |
| Другие названия товара № | 934055557115 | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Конфигурация | Dual | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA | |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | NPN | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms | |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.213 | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | TSSOP-6 | |
| Ширина | 1.35 mm | |
| Base Product Number | P*MH9 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Power - Max | 300mW | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms | |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP | |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250ВµA, 5mA | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V | |
| Maximum DC Collector Current | 100mA | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | UMT | |
| Pin Count | 6 | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ | |
| Typical Resistor Ratio | 0.21, 1 | |
| Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 778 КБ
Datasheet
pdf, 785 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Документация
pdf, 785 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 10 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/225/DOC000225803.jpg)
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299928.jpg)
![2SA1162-GR,LF, Транзистор PNP 50В 0.15А [TO-236-MOD]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![2SA1797, Транзистор PNP 50В 2А HFE=82…270 0.5Вт [SOT-89]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306882.jpg)
