BC808-25LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 0,5А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 ֏
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 0,5А, 300мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC808 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet BC808-25LT1G
pdf, 165 КБ