MMUN2233LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R2: 47кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 ֏
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 520 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R2: 47кОм Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 0.1 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80, 200 |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 246 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series: | MMUN2233L |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.1 |
| Вес, г | 0.008 |
