KSA1381ESTU, Транзистор биполярный TO-126 300В 100мА PNP 7Вт

Фото 1/3 KSA1381ESTU, Транзистор биполярный TO-126 300В 100мА PNP 7Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 ֏
от 10 шт.468 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 ֏
Номенклатурный номер: 8017970437

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности: 7 W
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 11 mm
Длина: 8 mm
Другие названия товара №: KSA1381ESTU_NL
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 40
Конфигурация: Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 320
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора: 0.1 A
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO): - 300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 5 V
Непрерывный коллекторный ток: - 0.1 A
Подкатегория: Transistors
Полярность транзистора: PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 150 MHz
Производитель: ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки: 1920
Серия: KSA1381
Технология: Si
Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок: TO-126-3
Упаковка: Tube
Ширина: 3.25 mm
Maximum Collector Base Voltage -300 V
Maximum Collector Emitter Voltage -300 V
Maximum DC Collector Current -100 mA
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 150 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 7 W
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-126
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.761

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 132 КБ
Datasheet KSA1381ESTU
pdf, 248 КБ
KSA1381
pdf, 244 КБ