KSA1381ESTU, Транзистор биполярный TO-126 300В 100мА PNP 7Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 ֏
от 10 шт. —
468 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 7 W |
Вид монтажа: | Through Hole |
Высота: | 11 mm |
Длина: | 8 mm |
Другие названия товара №: | KSA1381ESTU_NL |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 40 |
Конфигурация: | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 320 |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | - 300 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | - 300 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | - 0.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | - 5 V |
Непрерывный коллекторный ток: | - 0.1 A |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 150 MHz |
Производитель: | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки: | 1920 |
Серия: | KSA1381 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок: | TO-126-3 |
Упаковка: | Tube |
Ширина: | 3.25 mm |
Maximum Collector Base Voltage | -300 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -300 V |
Maximum DC Collector Current | -100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 7 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-126 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.761 |