MMBTA64LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 22 ֏
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -0.5 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 10000 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 0.1 uA |
| Maximum DC Collector Current: | 0.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Series: | MMBTA64L |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| DC Current Gain hFE Min | 10000hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 10000hFE |
| Power Dissipation | 225мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 125МГц |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMBTA64LT1G
pdf, 102 КБ
Datasheet MMBTA64LT1G
pdf, 146 КБ
