SI4056DY-T1-GE3, Биполярный транзистор N канал 100В 11.1A SOIC8N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 540 ֏
от 50 шт. —
2 950 ֏
от 200 шт. —
2 830 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 540 ֏
Описание
транзисторы биполярные импортные
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 31 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 5.7 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Series | ThunderFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 1 |
