Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › STW9NK90Z, , Транзистор полевой N-канальный ...

STW9NK90Z, , Транзистор полевой N-канальный, 900В, 8А, 160Вт, корпус TO- 247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

560 шт. с центрального склада, срок 11 дней

700 ֏

Кратность заказа 10 шт.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 7 000 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8026860562

Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Корпус	TO-247-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	2115
Заряд затвора, нКл	72
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±30 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	900
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	1300
Мощность	рассеиваемая(Pd)-160 Вт
Описание	N-Channel 900 V 8A(Tc)160W(Tc)Through Hole TO-247-3
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584646/600
Упаковка	TUBE, 30 шт.
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Resistance	1.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage	900 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	160 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	72 nC @ 10 V
Width	5.15mm
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Fall Time:	28 ns
Id - Continuous Drain Current:	8 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	160 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	72 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.3 Ohms
Rise Time:	13 ns
Series:	STW9NK90Z
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	SuperMESH
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	55 ns
Typical Turn-On Delay Time:	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	900 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Automotive	No
Maximum Continuous Drain Current - (A)	8
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	1300@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	900
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??30
Maximum Power Dissipation - (mW)	160000
Military	No
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tube
Process Technology	SuperMESH
Standard Package Name	TO-247
Supplier Package	TO-247
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	72
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	72@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	2115@25V
Вес, г	7