Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › STP10NK80ZFP, , Транзистор полевой ...

STP10NK80ZFP, , Транзистор полевой N-канальный , 9А, 800В, 40 Вт, корпус TO- 220-3 Full Pack

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

945 шт. с центрального склада, срок 10 дней

1 000 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 10 шт. — 960 ֏

от 20 шт. — 920 ֏

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 5 000 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8026860565

Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Описание Транзистор полевой STP10NK80ZFP от STMicroelectronics - надежный компонент для проектов, требующих высокого напряжения и тока. Модель STP10NK80ZFP, выполненная в корпусе TO220FP, предназначена для монтажа THT. Этот полевой N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 9 А и работать при напряжении сток-исток до 800 В. Эффективность его работы подтверждается мощностью 40 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,9 Ом. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других устройствах, где требуется высокая напряженность и надежность. Компонент STP10NK80ZFP гарантирует высокое качество и производительность, характерные для продукции STMicroelectronics. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	9
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	40
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.9
Корпус	TO220FP

Технические параметры

Корпус	TO-220-3 FP
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	2180
Заряд затвора, нКл	72
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±30 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	800
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	900
Мощность	рассеиваемая(max)-40 Вт
Описание	N-Channel 800 V 9A(Tc)40W(Tc)Through Hole TO-220FP
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584646/1000
Упаковка	TUBE, 50 шт.
кол-во в упаковке	50
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	17 ns
Forward Transconductance - Min	9.6 S
Height	9.3 mm
Id - Continuous Drain Current	9 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220FP-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	40 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	72 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	900 mOhms
Rise Time	20 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	65 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	4.6 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9 A
Maximum Drain Source Resistance	900 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	72 nC @ 10 V
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	9
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	900@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	800
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	40000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Process Technology	SuperMESH
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220FP
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	17
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	72
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	72@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	2180@25V
Typical Rise Time (ns)	20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	65
Typical Turn-On Delay Time (ns)	30
Case	TO220FP
Drain current	3A
Drain-source voltage	800V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±30V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
On-state resistance	0.9Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	40W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	2