NCP5181DR2G, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2?1.4A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 190 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 190 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
Описание IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2?1.4A Характеристики
| Категория | Микросхема |
| Тип | драйвер |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Fall Time | 20ns |
| Load Type | MOSFET |
| Number of Drivers | 2 |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Peak Output Current(sink) | 2.2A |
| Peak Output Current(source) | 1.4A |
| Rise Time | 40ns |
| Supply Voltage | 10V~20V |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet NCP5181DR2G
pdf, 99 КБ
