Корпус	TO-225AA
Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	11.04 mm
Длина	7.74 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	500
Серия	BD137
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-225-3
Ширина	2.66 mm
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	NPN
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	60
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Maximum Base Current (A)	0.5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5@0.05A@0.5A
Maximum DC Collector Current (A)	1.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100
Minimum DC Current Gain	25@0.005A@2V\|40@0.15A@2V\|25@0.5A@2V
Maximum Power Dissipation (mW)	1250
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Box
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-225
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	11.1(Max)
Package Length	7.8(Max)
Package Width	3(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V
Continuous Collector Current	1.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	500
Height	11.04 mm
Length	7.74 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-225-3
Pd - Power Dissipation	1.25 W
RoHS	Details
Series	BD137
Transistor Polarity	NPN
Width	2.66 mm
Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-225
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.2

BD137G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1.5 А, 1.25 Вт

Описание

Технические параметры

Техническая документация

ООО «ЧИП и ДИП»