MMBF5486, Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт

Фото 1/2 MMBF5486, Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
106 ֏
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 97 шт.85 ֏
от 194 шт.76 ֏
от 387 шт.72 ֏
Добавить в корзину 19 шт. на сумму 2 014 ֏
Номенклатурный номер: 8232081304

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт

Технические параметры

Корпус sot-23
Automotive No
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Gull-wing
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 1
Maximum Gate Source Voltage (V) -25
Maximum IDSS (uA) 20000
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 225
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Type JFET
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) 2(Max)@15V
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 1(Max)@15V
Forward Transconductance (Typ) 0.008(MAX)(S)
Input Capacitance (Typ)@Vds 5(MAX)@15V(pF)
Noise Figure (Max) 4(dB)
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Output Capacitance (Typ)@Vds 2(MAX)@15V(pF)
Package Type SOT-23
Power Dissipation (Max) 225(mW)
Rad Hardened No
Reverse Capacitance (Typ) 1(MAX)@15V(pF)
Screening Level Military
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 324 КБ