MJD117T4, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Фото 1/6 MJD117T4, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2214 шт. с центрального склада, срок 3 недели
347 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 68 шт.277 ֏
от 135 шт.260 ֏
от 269 шт.243 ֏
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 082 ֏
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги6
Номенклатурный номер: 8376768966
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Технические параметры

Корпус DPAK/TO-252AA
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 4@40mA@4A
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 20
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 3@40mA@4A|2@8mA@2A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 2
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 20000
Minimum DC Current Gain 500@500mA@3V|200@4A@3V|1000@2A@3V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Type PNP
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 25(Min)
Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 200
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current: 20 uA
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: TO-252
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: MJD117
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
DC Collector/Base Gain hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.4 mm
Length 6.6 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current 20 uA
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series MJD117T4
Transistor Polarity PNP
Width 6.2 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4 V
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Continuous Collector Current 4 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type DPAK(TO-252)
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.66

Техническая документация

Datasheet
pdf, 379 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 366 КБ
Datasheet
pdf, 368 КБ
Datasheet
pdf, 578 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 19 июня1 бесплатно
HayPost 23 июня1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг