BSP52T1G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

165 ֏

Мин. кол-во для заказа 13 шт.

от 64 шт. — 130 ֏

от 128 шт. — 122 ֏

от 255 шт. — 109 ֏

Добавить в корзину 13 шт. на сумму 2 145 ֏

Номенклатурный номер: 8616790864

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт

Корпус	SOT-223
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1.9 V
Maximum Collector Base Voltage	90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1.3 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Continuous Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum DC Current Gain	2000
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Width	3.5mm
Вес, г	0.2