BSR58, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
114 ֏
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 91 шт. —
89 ֏
от 182 шт. —
80 ֏
от 364 шт. —
76 ֏
Добавить в корзину 18 шт.
на сумму 2 052 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт
Технические параметры
Корпус | sot-23 |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 8 to 80mA |
Maximum Drain Gate Voltage | 40V |
Maximum Drain Source Voltage | 0.4 V |
Maximum Gate Source Voltage | -40 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.3mm |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 80 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | onsemi |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | BSR58_NL |
Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 Ohms |
Series: | BSR58 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -40 V |
Drain-Gate Voltage (Max) | 40(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | -40(V) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Packaging | Tape and Reel |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 0.05 |