MUN5111DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

26 ֏

Мин. кол-во для заказа 83 шт.

от 218 шт. — 22 ֏

от 435 шт. — 17 ֏

от 870 шт. — 16 ֏

Добавить в корзину 83 шт. на сумму 2 158 ֏

Номенклатурный номер: 8743324477

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов

Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Корпус	SOT363-6
Brand	ON Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	-0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min	35
DC Current Gain HFE Max	35 at 5 mA at 10 V
Factory Pack Quantity	3000
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-88-6
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	250 mW
Peak DC Collector Current	100 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series	MUN5111DW1
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	PNP
Typical Input Resistor	10 kOhms
Typical Resistor Ratio	1
Вес, г	0.04