MSG80T65HHC0, Транзистор IGBT 650В 80А 260Вт [TO-247]
![MSG80T65HHC0, Транзистор IGBT 650В 80А 260Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
198 шт. с центрального склада, срок 9 дней
1 770 ֏
от 10 шт. —
1 620 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 770 ֏
Технические параметры
| Технология/семейство | Trench/Field-Stop | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 160 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.45 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 260 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 340 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
MSG80T65HHC0
pdf, 2938 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 28 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
