Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 65 V, THT, TO-92, BC546A

Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 65 V, THT, TO-92, BC546A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
850 шт., срок 8 недель
167 ֏
от 10 шт.145 ֏
от 100 шт.97 ֏
от 300 шт.68 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 167 ֏
Номенклатурный номер: 8026527518

Описание

Semiconductors\Power Semiconductors

NPN transistor, BC546A, CDIL

The BC546A NPN silicon epitaxial planar transistor is suitable for switching and AF amplifier application.

Технические параметры

Assembly THT
Collector current 100 mA
Enclosure TO-92
Max DC amplification 220 mA
max. operating temperature 150 °C
max.voltage between collector and base Vcbo 80 V
max.voltage between collector and emitter Vceo 65 V
Min DC gain 110 mA
min. operating temperature -65 °C
Power dissipation 0.5 W
Rated current 1 A
Saturation voltage 250 mV
Transit frequency fTmin 100 MHz
Version NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 728 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг