Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 60 V, THT, TO-126, BD439

Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 60 V, THT, TO-126, BD439
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
101 шт., срок 8 недель
1 840 ֏
от 10 шт.1 230 ֏
от 100 шт.900 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 840 ֏
Номенклатурный номер: 8026532460

Описание

Semiconductors\Power Semiconductors\Bipolar Transistors

NPN transistor, BD439, CDIL

This NPN epitaxial silicon power transistors intended for use in medium power linear and switching applications.

Технические параметры

Assembly THT
Collector current 4 A
Enclosure TO-126
max. operating temperature 150 °C
max.voltage between collector and base Vcbo 60 V
max.voltage between collector and emitter Vceo 60 V
Min DC gain 20 mA
min. operating temperature -65 °C
Power dissipation 36 W
Rated current 4 A
Saturation voltage 1.4 V
Transit frequency fTmin 3 MHz
Version NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 201 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг