UMX1NTN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1283 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
610 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
338 ֏
от 50 шт. —
282 ֏
от 100 шт. —
268 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 220 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V, Power Dissipation Pd:150mW, DC Collector Current:150mA, DC Current Gain hFE:120hFE, No. of Pins:6Pins, Operating Temperature Max:150 C , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | 150 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 |
DC Current Gain hFE Max | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT | 180 MHz |
Height | 0.9 mm |
Length | 2 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-363-6 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | UMX1N |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 1.25 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰ |
Part # Aliases | UMX1N |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory | Transistors |
Вес, г | 0.136 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 июня1 | бесплатно |
HayPost | 26 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары