Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT

_{70 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		1 160 ֏ 740 ֏ ×	от 5 шт. — 720 ֏
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		1 400 ֏ 850 ֏ ×	от 5 шт. — 800 ֏
IR2110PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, 500В, 2А, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр		2 430 ֏ 1 480 ֏ ×	от 5 шт. — 1 460 ֏
IR2153DPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		1 940 ֏ 1 430 ֏ ×	от 5 шт. — 1 370 ֏
IR2181STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		3 100 ֏ 2 080 ֏ ×	от 15 шт. — 1 970 ֏
IR21844STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр		6 400 ֏ 4 020 ֏ ×	от 5 шт. — 3 970 ֏
IRS21867STRPBF, Драйвер HIGH AND LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		5 200 ֏ 3 430 ֏ ×	от 5 шт. — 3 420 ֏
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.6…13.2 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 35 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DFN-8 EP(3x3)	быстрый просмотр		910 ֏ 530 ֏ ×	от 5 шт. — 496 ֏
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		1 280 ֏ 720 ֏ ×	от 5 шт. — 700 ֏
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		1 940 ֏ 1 150 ֏ ×	от 5 шт. — 1 130 ֏
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: SOP-14 (0.209 inch)	быстрый просмотр		2 430 ֏ 1 520 ֏ ×	от 5 шт. — 1 490 ֏
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		1 160 ֏ 830 ֏ ×	от 5 шт. — 810 ֏
HIP4082IBZ, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16] 11 дней, 81 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.154 inch)	быстрый просмотр	11 дней, 81 шт.	4 270 ֏ ×	от 15 шт. — 4 050 ֏
HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16] 11 дней, 85 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-16(0.300 inch)	быстрый просмотр	11 дней, 85 шт.	5 400 ֏ ×	от 15 шт. — 5 100 ֏
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр		3 760 ֏ 2 440 ֏ ×	от 5 шт. — 2 420 ֏
IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр		3 820 ֏ 2 400 ֏ ×	от 5 шт. — 2 380 ֏
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		337 ֏ ×	от 10 шт. — 317 ֏
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		1 700 ֏ 1 030 ֏ ×	от 5 шт. — 1 010 ֏
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		1 460 ֏ 940 ֏ ×	от 5 шт. — 920 ֏
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		1 280 ֏ 770 ֏ ×	от 5 шт. — 760 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT

ООО «ЧИП и ДИП»