BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
173 000 ֏
118 000 ֏
от 3 шт. —
117 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 118 000 ֏
Описание
Биполярный транзистор IGBT
Технические параметры
| Структура | 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 72 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 350 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | +150(max) | |
| Корпус | ECONOPACK 2K | |
| Вес, г | 178 |
Техническая документация
Datasheet BSM50GX120DN2
pdf, 678 КБ
С этим товаром покупают
