BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
560 ֏
от 15 шт. —
520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 ֏
Описание
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом/1.9А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 | |
| Корпус | SOT-223 | |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 234 КБ
Datasheet
pdf, 614 КБ
Datasheet BSP171P H6327
pdf, 614 КБ
Datasheet BSP171P
pdf, 616 КБ
