Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode ...

BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

667 шт. с центрального склада, срок 9 дней

382 ֏

246 ֏

от 100 шт. — 228 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 246 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 9000387258

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

The BSP250.115 is a -30V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and low on resistance makes this device suitable for use in low loss motor, actuator drivers and power switching applications.

• 150°C Junction temperature

Технические параметры

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.65
Корпус	SOT-223
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Рассеиваемая Мощность	5Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-30В
Непрерывный Ток Стока	-1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	-10В
Пороговое Напряжение Vgs	-2.8В
Вес, г	0.4