BU508DF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=34Вт [TO-3PFa]
![BU508DF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=34Вт [TO-3PFa]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547832.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 шт. с центрального склада, срок 10 дней
2 610 ֏
1 510 ֏
от 15 шт. —
1 480 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 510 ֏
Номенклатурный номер: 9000430230
Бренд: Inchange Semiconductor
Технические параметры
| Структура | npn с диодом | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1500 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10…30 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 7 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 34 | |
| Корпус | to-3pfa | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
ISCSEMI BU... Bipolar Transistots
pdf, 392 КБ
Datasheet BU508DF
pdf, 244 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 22 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 26 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
