GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]

GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
69 шт. с центрального склада, срок 12 дней
10 500 ֏
7 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 400 ֏
Номенклатурный номер: 9000417311
Бренд: Toshiba

Технические параметры

Технология/семейство Gen 6.5
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1800
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 375
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус TO-3P(N)
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet GT40WR21
pdf, 381 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 мая1 бесплатно
HayPost 15 мая1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг