Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Toshiba

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Toshiba

_{25 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] 3868 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	3868 шт.	1 400 ֏ 950 ֏ ×
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)] 13 дней, 67 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	13 дней, 67 шт.	10 500 ֏ 7 500 ֏ ×
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C] 13 дней, 31 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21F2C	быстрый просмотр	13 дней, 31 шт.	7 400 ֏ 5 400 ֏ ×
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] 13 дней, 93 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21F2C	быстрый просмотр	13 дней, 93 шт.	5 300 ֏ 3 470 ֏ ×
GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce 13 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	13 дней, 1 шт.	1 750 ֏ ×
GT15J341, Транзистор IGBT, 600В, 15А, 30Вт, TO220FP 8 недель, 288 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8 недель, 288 шт.	2 470 ֏ ×
GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole 8 недель, 166 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8 недель, 166 шт.	4 130 ֏ ×
GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole 8 недель, 70 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8 недель, 70 шт.	6 500 ֏ ×
GT30J121(Q), IGBT Transistors 600V/30A DIS 8-10 недель, 45 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8-10 недель, 45 шт.	4 170 ֏ ×
GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN 8 недель, 68 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8 недель, 68 шт.	4 300 ֏ ×
GT30J122A(STA1,E,D 8-10 недель, 27 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8-10 недель, 27 шт.	980 ֏ ×
GT30J122A(STA1,E,D, TO-3PN IGBTs 8 недель, 299 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8 недель, 299 шт.	2 300 ֏ ×
GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN 8 недель, 488 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8 недель, 488 шт.	4 590 ֏ ×
GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN 8 недель, 90 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8 недель, 90 шт.	15 600 ֏ ×
GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ 8-10 недель, 50 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8-10 недель, 50 шт.	6 000 ֏ ×
GT50JR22 8-10 недель, 4977 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8-10 недель, 4977 шт.	1 240 ֏ ×
GT50N322A, IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V 8-10 недель, 179 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	8-10 недель, 179 шт.	6 000 ֏ ×
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] По запросу Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	По запросу	1 000 ֏ ×
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] По запросу Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-16F1A	быстрый просмотр	По запросу	2 320 ֏ ×
GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] По запросу Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	По запросу	1 240 ֏ ×

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Toshiba

ООО «ЧИП и ДИП»