GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
476 шт., срок 8 недель
4 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Collector current | 35A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate-emitter voltage | ±25V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 230W |
| Pulsed collector current | 80A |
| Turn-off time | 0.6µs |
| Turn-on time | 0.3µs |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 4.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
