Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › 600 В

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 600 В

_{85 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		4 910 ֏ 3 260 ֏ ×	от 15 шт. — 3 230 ֏
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		4 790 ֏ 3 140 ֏ ×	от 15 шт. — 3 120 ֏
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		6 000 ֏ 3 850 ֏ ×	от 15 шт. — 3 820 ֏
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		7 800 ֏ 5 200 ֏ ×
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] 4406 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	4406 шт.	1 400 ֏ 940 ֏ ×
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A] 242 шт. Бренд: Renesas Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260.4 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 53 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247A	быстрый просмотр	242 шт.	4 000 ֏ 2 450 ֏ ×	от 5 шт. — 2 320 ֏
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220] 371 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	371 шт.	1 400 ֏ 1 160 ֏ ×	от 15 шт. — 1 100 ֏
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247] 192 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	192 шт.	3 340 ֏ 2 110 ֏ ×	от 15 шт. — 2 090 ֏
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 670 ֏ 2 700 ֏ ×	от 15 шт. — 2 560 ֏
CRG15T60A83L, Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO-220] 11 дней, 111 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 96 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 45 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	11 дней, 111 шт.	471 ֏ ×	от 15 шт. — 429 ֏
CRG15T60A93L, Транзистор IGBT 600В 15А 26Вт Trench FS III [TO-220F] 11 дней, 104 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 26 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 45 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	11 дней, 104 шт.	336 ֏ ×	от 15 шт. — 307 ֏
CRG20T60A83L, Транзистор IGBT 600В 20А 140Вт Trench FS III [TO-220] 11 дней, 984 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.66 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 35.2 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 125.6 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	11 дней, 984 шт.	499 ֏ ×	от 15 шт. — 454 ֏
CRG20T60A93L, Транзистор IGBT 600В 20А 30Вт Trench FS III [TO-220F] 11 дней, 105 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.66 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 30 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 35.2 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 125.6 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	11 дней, 105 шт.	323 ֏ ×	от 15 шт. — 294 ֏
CRG30T60AK3HD, Транзистор IGBT 600В 30А 156Вт Trench FS III [TO-247] 11 дней, 977 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 156 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 65 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 192 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	11 дней, 977 шт.	650 ֏ ×	от 15 шт. — 590 ֏
CRG50T60AK3HD, Транзистор IGBT 600В 50А 416Вт Trench FS III [TO-247] 11 дней, 960 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 416 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 94 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 335 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	11 дней, 960 шт.	1 040 ֏ ×	от 15 шт. — 950 ֏
CRG75T60AK3HD, Транзистор IGBT 650В 75А 469Вт Trench FS III [TO-247] 11 дней, 69 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 96.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 308.4 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	11 дней, 69 шт.	1 140 ֏ ×	от 15 шт. — 1 050 ֏
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 250 ֏ 2 850 ֏ ×	от 15 шт. — 2 810 ֏
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C] 11 дней, 31 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21F2C	быстрый просмотр	11 дней, 31 шт.	7 400 ֏ 5 400 ֏ ×
IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 166 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 199 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		3 820 ֏ 2 390 ֏ ×	от 15 шт. — 2 370 ֏
IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 187 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 207 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		3 520 ֏ 2 350 ֏ ×	от 15 шт. — 2 320 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 600 В

ООО «ЧИП и ДИП»