Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › 600 В

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 600 В, стр.2

_{83 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 187 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 207 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		3 520 ֏ 2 380 ֏ ×	от 15 шт. — 2 340 ֏
IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 45 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 187 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 254 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		5 700 ֏ 3 710 ֏ ×	от 15 шт. — 3 670 ֏
IKW40N60H3FKSA1 (K40H603), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 40А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 306 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 19 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 197 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		5 900 ֏ 3 830 ֏ ×	от 15 шт. — 3 800 ֏
IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 235 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		6 900 ֏ 4 640 ֏ ×	от 15 шт. — 4 550 ֏
IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 299 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		6 000 ֏ 4 060 ֏ ×	от 15 шт. — 4 020 ֏
IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 428 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		8 100 ֏ 5 600 ֏ ×	от 15 шт. — 5 500 ֏
IRGB4056DPBF, Транзистор IGBT 600В 24А [TO-220AB] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 24 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 48 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 83 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		2 610 ֏ 1 670 ֏ ×	от 15 шт. — 1 660 ֏
IRGP4063DPBF, Транзистор IGBT 600В 96А [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		8 800 ֏ 6 100 ֏ ×	от 15 шт. — 6 000 ֏
IRGP4640DPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 65 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		4 070 ֏ 2 740 ֏ ×	от 15 шт. — 2 700 ֏
IXGR48N60C3D1, Транзистор IGBT 600В 56А 125Вт ISOPLUS-247 13 дней, 57 шт. Бренд: Littelfuse Технология/семейство: PT/GenX3 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 56 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 230 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 19 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 60 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: ISOPLUS-247	быстрый просмотр	13 дней, 57 шт.	5 400 ֏ ×	от 10 шт. — 4 680 ֏
MSG80D60FLC, Транзистор IGBT 600В 80А 260Вт [TO-247] 13 дней, 116 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 334 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 116 шт.	1 780 ֏ ×	от 10 шт. — 1 630 ֏
MSG80N60FQC, Транзистор IGBT 600В 80А 260Вт [TO-247] 13 дней, 316 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 180 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 334 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 316 шт.	1 600 ֏ ×	от 10 шт. — 1 470 ֏
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK] 13 дней, 147 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	13 дней, 147 шт.	1 160 ֏ 880 ֏ ×	от 15 шт. — 850 ֏
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP] 13 дней, 86 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 86 шт.	1 360 ֏ ×	от 15 шт. — 1 290 ֏
STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP] 13 дней, 316 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 316 шт.	2 190 ֏ 1 370 ֏ ×	от 15 шт. — 1 350 ֏
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220] 13 дней, 695 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 695 шт.	1 150 ֏ ×	от 15 шт. — 1 100 ֏
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3] 13 дней, 294 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 294 шт.	3 160 ֏ 2 020 ֏ ×	от 15 шт. — 1 990 ֏
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220] 13 дней, 563 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 563 шт.	690 ֏ ×	от 15 шт. — 620 ֏
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220] 13 дней, 250 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 250 шт.	1 040 ֏ 590 ֏ ×	от 15 шт. — 580 ֏
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247] 13 дней, 57 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 57 шт.	3 510 ֏ ×	от 15 шт. — 3 330 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 600 В, стр.2

ООО «ЧИП и ДИП»