Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › 1200 В

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 1200 В

_{40 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314) Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		5 400 ֏ 3 800 ֏ ×	от 15 шт. — 3 790 ֏
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		8 100 ֏ 5 500 ֏ ×
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		2 910 ֏ 1 880 ֏ ×	от 50 шт. — 1 730 ֏
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		11 400 ֏ ×
CRG15T120BK3SD, Транзистор IGBT 1200В 15А 236Вт Trench FS III [TO-247] 11 дней, 563 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 236 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 35 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	11 дней, 563 шт.	850 ֏ ×	от 15 шт. — 780 ֏
CRG15T120BNR3S, Транзистор IGBT 1200В 15А 156Вт Trench FS-RC III [TO-3P(N)] 11 дней, 64 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS-RC III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 156 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 107 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	11 дней, 64 шт.	580 ֏ ×	от 15 шт. — 530 ֏
CRG25T120BK3S, Транзистор IGBT 1200В 25А 278Вт Trench FS III [TO-247] 11 дней, 99 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 278 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	11 дней, 99 шт.	810 ֏ ×	от 15 шт. — 740 ֏
CRG25T120BKR3S, Транзистор IGBT 1200В 25А 208Вт Trench FS-RC III [TO-247] 11 дней, 37 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS-RC III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 208 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 34 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 198 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	11 дней, 37 шт.	570 ֏ ×	от 15 шт. — 520 ֏
CRG40T120BV3S, Транзистор IGBT 1200В 40А 278Вт Trench FS III [TO-264] 11 дней, 71 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 278 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 62 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 265 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	11 дней, 71 шт.	1 770 ֏ ×	от 15 шт. — 1 620 ֏
HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 520 ֏ 2 310 ֏ ×	от 15 шт. — 2 280 ֏
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 250 ֏ 2 790 ֏ ×	от 15 шт. — 2 770 ֏
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		2 910 ֏ 1 820 ֏ ×	от 15 шт. — 1 800 ֏
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		6 500 ֏ 3 870 ֏ ×	от 3 шт. — 3 610 ֏
IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203), Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 217 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		4 790 ֏ 3 140 ֏ ×	от 15 шт. — 3 110 ֏
IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 326 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 277 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		6 700 ֏ 4 480 ֏ ×	от 15 шт. — 4 420 ֏
IKW25N120T2FKSA1 (K25T1202), Транзистор IGBT TrenchStop 2 1200В 25А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 265 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		6 700 ֏ 4 440 ֏ ×	от 15 шт. — 4 380 ֏
IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 483 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 290 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		12 800 ֏ 8 800 ֏ ×	от 15 шт. — 8 700 ֏
IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 480 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 314 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		10 000 ֏ 4 710 ֏ ×	от 15 шт. — 3 820 ֏
IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2] Бренд: Infineon Технология/семейство: High speed H3 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 938 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 38 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 303 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-4-2	быстрый просмотр		20 900 ֏ 14 600 ֏ ×	от 15 шт. — 14 500 ֏
MSG15T120FPC, Транзистор IGBT 1200В 15А 125Вт [TO-247] 11 дней, 204 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 80 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	11 дней, 204 шт.	630 ֏ ×	от 10 шт. — 580 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 1200 В

ООО «ЧИП и ДИП»