Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › 1200 В

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 1200 В, стр.2

_{40 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MSG25T120FQC, Транзистор IGBT 1200В 25А 350Вт [TO-247] 8 дней, 249 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 93 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 216 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	8 дней, 249 шт.	900 ֏ ×	от 10 шт. — 820 ֏
MSG30D120FLB, Транзистор IGBT 1200В 30А 342Вт [TO-3PB] 8 дней, 167 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 342 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 121 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-3pb	быстрый просмотр	8 дней, 167 шт.	1 610 ֏ ×	от 10 шт. — 1 470 ֏
MSG40T120FQC, Транзистор IGBT 1200В 40А 342Вт [TO-247] 8 дней, 860 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 342 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 85 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	8 дней, 860 шт.	1 270 ֏ ×	от 10 шт. — 1 160 ֏
MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264] 8 дней, 58 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 535 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 118 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 282 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	8 дней, 58 шт.	1 870 ֏ ×	от 10 шт. — 1 710 ֏
MSG75T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 75А 625Вт [TO-264] 3 недели, 10 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 115 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 230 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 441 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 205 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	3 недели, 10 шт.	2 700 ֏ ×	от 10 шт. — 2 470 ֏
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		2 910 ֏ 1 980 ֏ ×	от 15 шт. — 1 920 ֏
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), Тарнзистор IGBT 1200В 8А 125Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		2 850 ֏ 1 810 ֏ ×	от 15 шт. — 1 800 ֏
SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		12 600 ֏ 8 800 ֏ ×	от 15 шт. — 8 700 ֏
CRG40T120BV3S, Транзистор IGBT 1200В 40А 278Вт Trench FS III [TO-264] 9 недель, 42 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 278 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 62 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 265 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	9 недель, 42 шт.	1 790 ֏ ×	от 15 шт. — 1 640 ֏
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		3 640 ֏ 1 510 ֏ ×	от 15 шт. — 1 430 ֏
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		5 800 ֏ 3 810 ֏ ×	от 15 шт. — 3 780 ֏
FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 475 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		10 100 ֏ 8 400 ֏ ×
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		4 000 ֏ 2 830 ֏ ×	от 15 шт. — 2 790 ֏
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3-46	быстрый просмотр		2 910 ֏ ×	от 15 шт. — 2 850 ֏
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213) Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		4 550 ֏ 3 020 ֏ ×	от 15 шт. — 3 000 ֏
YGW25N120U2, Транзистор IGBT Trench Field Stop 1200В 25А [TO-247] 8 недель, 120 шт. Бренд: luxin-semi Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 210 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	8 недель, 120 шт.	1 080 ֏ ×	от 10 шт. — 990 ֏
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Корпус: to247ac	быстрый просмотр		2 430 ֏ ×	от 10 шт. — 2 260 ֏ от 40 шт. — 2 090 ֏ от 70 шт. — 2 050 ֏
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247 3 недели, 190 шт. Бренд: China Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	3 недели, 190 шт.	1 790 ֏ ×	от 5 шт. — 1 450 ֏ от 20 шт. — 1 420 ֏ от 35 шт. — 1 370 ֏
IKW40N120T2 (K40T1202)Транзистор Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 480 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 314 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO-247-3	быстрый просмотр		4 810 ֏ ×
IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 82 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		5 200 ֏ ×

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 1200 В, стр.2

ООО «ЧИП и ДИП»