STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
![Фото 1/5 STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/338/DOC001338400.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Ереван, 3 дня
366 шт. с центрального склада, срок 12 дней
1 400 ֏
1 160 ֏
от 15 шт. —
1 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 160 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | PowerMESH | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 25 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 50 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 80 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18.5 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | to-220 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGP7NC60HD
pdf, 410 КБ
STGB7NC60HD, STGF7NC60HD, STGP7NC60HD
pdf, 1360 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 11 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
