Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics

_{296 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220] 371 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	371 шт.	1 400 ֏ 1 160 ֏ ×	от 15 шт. — 1 100 ֏
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247] 199 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	199 шт.	3 340 ֏ 2 110 ֏ ×	от 15 шт. — 2 090 ֏
STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK] 13 дней, 37 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH, Internally Clamped Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 440 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000 Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	13 дней, 37 шт.	2 910 ֏ 2 000 ֏ ×	от 15 шт. — 1 940 ֏
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK] 13 дней, 146 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	13 дней, 146 шт.	1 160 ֏ 880 ֏ ×	от 15 шт. — 850 ֏
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP] 13 дней, 90 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 90 шт.	1 350 ֏ ×	от 15 шт. — 1 280 ֏
STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP] 13 дней, 316 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 316 шт.	2 190 ֏ 1 350 ֏ ×	от 15 шт. — 1 340 ֏
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220] 13 дней, 696 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 696 шт.	1 140 ֏ ×	от 15 шт. — 1 090 ֏
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3] 13 дней, 294 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 294 шт.	3 160 ֏ 2 000 ֏ ×	от 15 шт. — 1 970 ֏
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220] 13 дней, 570 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 570 шт.	680 ֏ ×	от 15 шт. — 620 ֏
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220] 13 дней, 250 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 250 шт.	1 040 ֏ 580 ֏ ×	от 15 шт. — 570 ֏
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247] 13 дней, 60 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 60 шт.	3 470 ֏ ×	от 15 шт. — 3 300 ֏
STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247] 13 дней, 104 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 146 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 104 шт.	2 670 ֏ 1 960 ֏ ×	от 15 шт. — 1 900 ֏
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247] 13 дней, 219 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 219 шт.	4 790 ֏ 2 810 ֏ ×	от 15 шт. — 2 770 ֏
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3] 13 дней, 153 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 153 шт.	2 670 ֏ 1 670 ֏ ×	от 15 шт. — 1 650 ֏
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247] 13 дней, 252 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 252 шт.	4 670 ֏ 3 100 ֏ ×	от 10 шт. — 3 060 ֏
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] 13 дней, 161 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 161 шт.	8 400 ֏ 5 800 ֏ ×	от 15 шт. — 5 700 ֏
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220] 13 дней, 1 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 1 шт.	920 ֏ ×	от 15 шт. — 890 ֏
STGB10NC60KDT4 3 недели, 1 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	3 недели, 1 шт.	1 730 ֏ ×
STGB18N40LZT4 3 недели, 1 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	3 недели, 1 шт.	3 790 ֏ ×
STGB7NC60HDT4 3 недели, 1 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	3 недели, 1 шт.	3 540 ֏ ×

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics

ООО «ЧИП и ДИП»