STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247], ST Microelectronics

Описание Транзистор БТИЗ STGW30NC60WD от производителя STMicroelectronics — высокомощный полупроводниковый компонент, предназначенный для эффективного управления мощной нагрузкой. Продукт имеет монтаж THT, обеспечивающий надежное соединение с печатной платой. С током коллектора в 60 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, этот IGBT транзистор способен выдержать мощность до 200 Вт. Компактный корпус TO247 удобен для монтажа и эксплуатации в различных электронных устройствах. Модель STGW30NC60WD характеризуется высокой эффективностью и долговечностью, что делает её идеальным выбором для промышленных и бытовых применений, требующих надежного управления мощными электрическими процессами. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	60
Напряжение коллектор-эмиттер, В	600
Мощность, Вт	200
Корпус	TO247

Технология/семейство	PowerMESH
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Импульсный ток коллектора (Icm), А	150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	29.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	118
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-247
Вес, г	7.5

Офис «ЧИП и ДИП»	29 мая¹	бесплатно
HayPost	2 июня¹	1 650 ֏²

STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Сроки доставки

ООО «ЧИП и ДИП»