STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
![Фото 1/4 STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
910 шт. с центрального склада, срок 13 дней
2 910 ֏
2 020 ֏
от 15 шт. —
1 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 020 ֏
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Технические параметры
| Технология/семейство | PowerMESH, Internally Clamped | |
| Наличие встроенного диода | Нет | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 440 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 40 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 125 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 1300 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 8000 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -65…+175 | |
| Корпус | d2pak | |
| Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet STGB10NB37LZT4
pdf, 747 КБ
Datasheet STGB10NB37LZT4
pdf, 731 КБ
STGB10NB37LZT4 datasheet
pdf, 94 КБ
STGB10NB37LZ, STGP10NB37LZ
pdf, 749 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 29 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 2 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
