STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3], ST Microelectronics

Описание Транзистор БТИЗ STGW39NC60VD от компании STMicroelectronics представляет собой высокопроизводительный IGBT-транзистор, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Он характеризуется максимальным током коллектора в 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, что позволяет использовать его в мощных схемах. Мощность устройства достигает 250 Вт, что обеспечивает надежность и долговечность при эксплуатации в широком диапазоне температур. Корпус TO247 обеспечивает удобство монтажа и хороший теплоотвод. Данный транзистор идеально подходит для использования в источниках питания, преобразователях частоты и других промышленных применениях. Получите надежный и эффективный компонент для вашей электронной аппаратуры с моделью STGW39NC60VD. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	80
Напряжение коллектор-эмиттер, В	600
Мощность, Вт	250
Корпус	TO247

Технология/семейство	PowerMESH
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Импульсный ток коллектора (Icm), А	220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	178
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-247
Вес, г	7.5

Офис «ЧИП и ДИП»	29 мая¹	бесплатно
HayPost	2 июня¹	1 650 ֏²

STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Сроки доставки

ООО «ЧИП и ДИП»