STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
![Фото 1/8 STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307886.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
311 шт. с центрального склада, срок 13 дней
8 400 ֏
5 800 ֏
от 15 шт. —
5 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Trench and Fieldstop | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 60 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 208 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 29 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 2 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
