GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
![Фото 1/5 GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Ереван, 3 дня
4403 шт. с центрального склада, срок 12 дней
1 400 ֏
940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 ֏
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Технические параметры
| Технология/семейство | Gen 6.5 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | TO-3P(N) | |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 11 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
