GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303031.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 шт. с центрального склада, срок 13 дней
5 300 ֏
3 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 470 ֏
Технические параметры
| Технология/семейство | Gen 4 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 170 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 330 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 700 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | 2-21F2C | |
| Вес, г | 9.8 |
Техническая документация
GT60N321_datasheet_en_20131101 - копия
pdf, 211 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 29 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 2 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
