IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 ֏
820 ֏
от 15 шт. —
800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013 Ом/43А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 | |
Крутизна характеристики, S | 38 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | автоприложения | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF2807PBF
pdf, 242 КБ
Документация
pdf, 242 КБ
Datasheet IRF2807
pdf, 211 КБ
С этим товаром покупают